سامسونگ و آغاز تولید انبوه DRAMهای موبایلی ۴ گیگابیتی ۲۰ نانومتری

20 مهٔ

20nm 4Gb LPDDR2

سامسونگ اعلام کرد که کار تولید انبوه DRAMهای موبایلی ۴ گیگابیتی LPDDR2 با معماری ۲۰ نانومتری را آغاز کرده استاین رم‌ها می‌توانند زمان پردازش را در اسمارت‌فون‌ها و تبلت‌های رده بالا، که در آن‌ها نیاز به افزایش بازدهی و عمر باتری بسیار احساس می‌شود، کاهش دهندسامسونگ می‌گوید به لطف روش جدید تولید، این تراشه‌ها از اندازه کوچکتری برخوردار هستند، در حالی که توان پردازشی آن‌ها مشابه یک تراشه ۳۰ نانومتری خواهد بودضخامت کم این تراشه‌ها، امکان طراحی و ساخت دستگاه‌های موبایل ظریف‌تر را مهیا می‌کند.

در مقایسه با پکیج چهار عددی تراشه‌های ۳۰ نانومتری ۴ گیگابیتی (یعنی ۲ گیگابایت حافظه)، تراشه‌های ۴ گیگابیتی ۲۰ نانومتری می‌توانند با وجود مصرف انرژی یکسان، سرعتی تا ۱۰۶۶ مگابیت بر ثانیه را از خود ارائه دهند، در حالی که ضخامت کمتری (تا ۲۰ درصدنسبت به آن‌ها دارند.

منابع:  sammyhub  ,  electronicsnews  ,  .xbitlabs  ,  mobigyaan

Advertisements

پاسخی بگذارید

در پایین مشخصات خود را پر کنید یا برای ورود روی شمایل‌ها کلیک نمایید:

نشان‌وارهٔ وردپرس.کام

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری WordPress.com خود هستید. بیرون رفتن / تغییر دادن )

تصویر توییتر

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Twitter خود هستید. بیرون رفتن / تغییر دادن )

عکس فیسبوک

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Facebook خود هستید. بیرون رفتن / تغییر دادن )

عکس گوگل+

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Google+ خود هستید. بیرون رفتن / تغییر دادن )

درحال اتصال به %s

%d وب‌نوشت‌نویس این را دوست دارند: