سامسونگ اعلام کرد که کار تولید انبوه DRAMهای موبایلی ۴ گیگابیتی LPDDR2 با معماری ۲۰ نانومتری را آغاز کرده است. این رم‌ها می‌توانند زمان پردازش را در اسمارت‌فون‌ها و تبلت‌های رده بالا، که در آن‌ها نیاز به افزایش بازدهی و عمر باتری بسیار احساس می‌شود، کاهش دهند. سامسونگ می‌گوید به لطف روش جدید تولید، این تراشه‌ها از اندازه کوچکتری برخوردار هستند، در حالی که توان پردازشی آن‌ها مشابه یک تراشه ۳۰ نانومتری خواهد بود. ضخامت کم این تراشه‌ها، امکان طراحی و ساخت دستگاه‌های موبایل ظریف‌تر را مهیا می‌کند.
در مقایسه با پکیج چهار عددی تراشه‌های ۳۰ نانومتری ۴ گیگابیتی (یعنی ۲ گیگابایت حافظه)، تراشه‌های ۴ گیگابیتی ۲۰ نانومتری می‌توانند با وجود مصرف انرژی یکسان، سرعتی تا ۱۰۶۶ مگابیت بر ثانیه را از خود ارائه دهند، در حالی که ضخامت کمتری (تا ۲۰ درصد) نسبت به آن‌ها دارند.
منابع: sammyhub , electronicsnews , .xbitlabs , mobigyaan
companies 
بیان دیدگاه